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IPS80R2K4P7AKMA1

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Artikelnummer
IPS80R2K4P7AKMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPS80R2K4P7AKMA1.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.00000

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Artikelnummer
IPS80R2K4P7AKMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 40µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
150pF @ 500V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
22W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO251-3
Paket / fall
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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