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STFW3N170

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Artikelnummer
STFW3N170
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 1700V 2.6A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STFW3N170.pdf
Gesamt:$5.01000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$5.01000

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Artikelnummer
STFW3N170
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 1700V 2.6A
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
63W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
ISOWATT-218FX
Paket / fall
ISOWATT218FX

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