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STP110N8F6

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Artikelnummer
STP110N8F6
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 110A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STP110N8F6.pdf
Gesamt:$1.96000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.96000

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Artikelnummer
STP110N8F6
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 110A TO-220
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
110A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
9130pF @ 40V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220
Paket / fall
TO-220-3

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