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SI7172ADP-T1-RE3

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Artikelnummer
SI7172ADP-T1-RE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CHAN 200V POWERPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI7172ADP-T1-RE3.pdf
Gesamt:$0.56908
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Artikelnummer
SI7172ADP-T1-RE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CHAN 200V POWERPAK SO-8
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
19.5nC @ 10V
Vgs (Max)
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1110pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 125°C
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Paket / fall
PowerPAK® SO-8

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