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SIE878DF-T1-GE3

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Artikelnummer
SIE878DF-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 45A POLARPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SIE878DF-T1-GE3.pdf
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Artikelnummer
SIE878DF-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 45A POLARPAK
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
45A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 12.5V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5.2W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
10-PolarPAK® (L)
Paket / fall
10-PolarPAK® (L)

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