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SPD30N03S2L07T

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Artikelnummer
SPD30N03S2L07T
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SPD30N03S2L07T.pdf
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Artikelnummer
SPD30N03S2L07T
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 85µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
68nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2530pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
136W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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