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NTD4806NA-1G

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Artikelnummer
NTD4806NA-1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
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Artikelnummer
NTD4806NA-1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
11.3A (Ta), 79A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 4.5V
Vgs (Max)
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2142pF @ 12V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
I-PAK
Paket / fall
TO-251-3 Stub Leads, IPak

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