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TSM210N02CX RFG

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Artikelnummer
TSM210N02CX RFG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TSM210N02CX RFG.pdf
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Artikelnummer
TSM210N02CX RFG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
600pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.56W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-23
Paket / fall
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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