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SP8M4FU6TB

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Artikelnummer
SP8M4FU6TB
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SP8M4FU6TB.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
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Artikelnummer
SP8M4FU6TB
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
9A, 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1190pF @ 10V
Leistung max
2W
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOP

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