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SSM6N61NU,LF

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Artikelnummer
SSM6N61NU,LF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$0.15035
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(In US-Dollar)
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$0.15035

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Artikelnummer
SSM6N61NU,LF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
410pF @ 10V
Leistung max
2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
6-WDFN Exposed Pad
Supplier Device Package
6-UDFNB (2x2)

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