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HUF76013D3S

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Artikelnummer
HUF76013D3S
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 20A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
HUF76013D3S.pdf
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Artikelnummer
HUF76013D3S
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 20A DPAK
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
624pF @ 20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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