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ZXMHC6A07T8TA

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Artikelnummer
ZXMHC6A07T8TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
ZXMHC6A07T8TA.pdf
Gesamt:$0.87725
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(In US-Dollar)
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$0.87725

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Artikelnummer
ZXMHC6A07T8TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1.6A, 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
166pF @ 40V
Leistung max
1.3W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
SOT-223-8
Supplier Device Package
SM8

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