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SI7909DN-T1-GE3

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Artikelnummer
SI7909DN-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI7909DN-T1-GE3.pdf
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Artikelnummer
SI7909DN-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
37 mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 700µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Leistung max
1.3W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
PowerPAK® 1212-8 Dual
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8 Dual

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