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STH170N8F7-2

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Artikelnummer
STH170N8F7-2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 120A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STH170N8F7-2.pdf
Gesamt:$1.63672
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$1.63672

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Artikelnummer
STH170N8F7-2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 120A
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
8710pF @ 40V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
H2Pak-2
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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