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FDP18N50

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Artikelnummer
FDP18N50
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$2.87000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$2.87000

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Artikelnummer
FDP18N50
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
265 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2860pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
235W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Paket / fall
TO-220-3

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