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NTP8G202NG

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Artikelnummer
NTP8G202NG
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
NTP8G202NG.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
NTP8G202NG
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350 mOhm @ 5.5A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.6V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.3nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 400V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
65W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Paket / fall
TO-220-3

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