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DMG9N65CT

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Artikelnummer
DMG9N65CT
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMG9N65CT.pdf
Gesamt:$1.42360
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(In US-Dollar)
1Stck
$1.42360

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Artikelnummer
DMG9N65CT
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2310pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
165W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Paket / fall
TO-220-3

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