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STU8NM60ND

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Artikelnummer
STU8NM60ND
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STU8NM60ND.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
STU8NM60ND
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
560pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
70W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
I-PAK
Paket / fall
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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