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GB2X50MPS12-227

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Artikelnummer
GB2X50MPS12-227
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
SIC DIODE 1200V 100A SOT-227
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
GB2X50MPS12-227.pdf
Gesamt:$91.48000
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(In US-Dollar)
1Stck
$91.48000

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Artikelnummer
GB2X50MPS12-227
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
SIC DIODE 1200V 100A SOT-227
Teilestatus
Active
Diodenkonfiguration
2 Independent
Diodentyp
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)
93A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.8V @ 50A
Geschwindigkeit
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
40µA @ 1200V
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 175°C
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket / fall
SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package
SOT-227

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