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IPL60R299CPAUMA1

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Artikelnummer
IPL60R299CPAUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPL60R299CPAUMA1.pdf
Gesamt:$1.44000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.44000

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Artikelnummer
IPL60R299CPAUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
Teilestatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
11.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
299 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
96W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-VSON-4
Paket / fall
4-PowerTSFN

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