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STL26NM60N

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Artikelnummer
STL26NM60N
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STL26NM60N.pdf
Gesamt:$3.18934
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(In US-Dollar)
1Stck
$3.18934

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Artikelnummer
STL26NM60N
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2.7A (Ta), 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
185 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125mW (Ta), 3W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerFlat™ (8x8) HV
Paket / fall
8-PowerVDFN

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