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FQPF13N06L

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Artikelnummer
FQPF13N06L
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220F
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FQPF13N06L.pdf
Gesamt:$1.38000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.38000

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Artikelnummer
FQPF13N06L
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220F
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.4nC @ 5V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
24W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220F
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack

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