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EPC2212

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Artikelnummer
EPC2212
Hersteller
EPC
Beschreibung
AEC-Q101 GAN FET 100V 13.5 MOHM
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
EPC2212.pdf
Gesamt:$1.28800
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(In US-Dollar)
1Stck
$1.28800

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Artikelnummer
EPC2212
Hersteller
EPC
Beschreibung
AEC-Q101 GAN FET 100V 13.5 MOHM
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
18A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.5 mOhm @ 11A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 5V
Vgs (Max)
+6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
407pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
Die
Paket / fall
Die

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