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RUF020N02TL

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Artikelnummer
RUF020N02TL
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RUF020N02TL.pdf
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Artikelnummer
RUF020N02TL
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
320mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TUMT3
Paket / fall
3-SMD, Flat Leads

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