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CSD19532Q5B

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Artikelnummer
CSD19532Q5B
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
CSD19532Q5B.pdf
Gesamt:$1.09620
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Artikelnummer
CSD19532Q5B
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.9 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
4810pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 195W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-VSON-CLIP (5x6)
Paket / fall
8-PowerTDFN

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