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FDC6322C

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Artikelnummer
FDC6322C
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FDC6322C.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
FDC6322C
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
220mA, 460mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
9.5pF @ 10V
Leistung max
700mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package
SuperSOT™-6

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