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BUK9Y9R9-80E,115

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Artikelnummer
BUK9Y9R9-80E,115
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V LFPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Artikelnummer
BUK9Y9R9-80E,115
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V LFPAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
LFPAK56, Power-SO8
Paket / fall
SC-100, SOT-669

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