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TH58BYG2S3HBAI6

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Artikelnummer
TH58BYG2S3HBAI6
Hersteller
Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TH58BYG2S3HBAI6.pdf
Gesamt:$6.16000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$6.16000

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Artikelnummer
TH58BYG2S3HBAI6
Hersteller
Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Teilestatus
Active
Speichertyp
Non-Volatile
Speicherformat
FLASH
Technologie
FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße
4Gb (512M x 8)
Taktfrequenz
-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
25ns
Zugriffszeit
25ns
Speicherschnittstelle
Parallel
Spannungsversorgung
1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur
-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
67-VFBGA
Supplier Device Package
67-VFBGA (6.5x8)

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