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IPI530N15N3GXKSA1

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Artikelnummer
IPI530N15N3GXKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPI530N15N3GXKSA1.pdf
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(In US-Dollar)
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$1.00906

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Artikelnummer
IPI530N15N3GXKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
53 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 35µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
887pF @ 75V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
68W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3
Paket / fall
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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