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HGTP10N120BN

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Artikelnummer
HGTP10N120BN
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
HGTP10N120BN.pdf
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Erfrischungspreis
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$1.78396

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Artikelnummer
HGTP10N120BN
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
Teilestatus
Not For New Designs
IGBT-Typ
NPT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.)
35A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
80A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 10A
Leistung max
298W
Energie wechseln
320µJ (on), 800µJ (off)
Eingabetyp
Standard
Gate Charge
100nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C
23ns/165ns
Testbedingung
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220-3

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