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FDFMA2P853T

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Artikelnummer
FDFMA2P853T
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FDFMA2P853T.pdf
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Artikelnummer
FDFMA2P853T
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
435pF @ 10V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
1.4W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
MicroFET 2x2 Thin
Paket / fall
6-UDFN Exposed Pad

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