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Zuhause Produkte Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln FQB19N20CTM

FQB19N20CTM

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Artikelnummer
FQB19N20CTM
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FQB19N20CTM.pdf
Gesamt:$0.76070
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)		 1Stck
$0.76070

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Artikelnummer
FQB19N20CTM
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1080pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.13W (Ta), 139W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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