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FDC6306P

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Artikelnummer
FDC6306P
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FDC6306P.pdf
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Artikelnummer
FDC6306P
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
441pF @ 10V
Leistung max
700mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package
SuperSOT™-6

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