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FDS6912A

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Artikelnummer
FDS6912A
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$0.28006
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(In US-Dollar)
1Stck
$0.28006

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Artikelnummer
FDS6912A
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.1nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
575pF @ 15V
Leistung max
900mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOIC

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