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APT11N80BC3G

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Artikelnummer
APT11N80BC3G
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$6.05000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$6.05000

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Artikelnummer
APT11N80BC3G
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450 mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.9V @ 680µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1585pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
156W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247 [B]
Paket / fall
TO-247-3

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