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IKZ75N65EH5XKSA1

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Artikelnummer
IKZ75N65EH5XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT 650V 90A W/DIO TO247-4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IKZ75N65EH5XKSA1.pdf
Gesamt:$6.92358
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(In US-Dollar)
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$6.92358

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Artikelnummer
IKZ75N65EH5XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT 650V 90A W/DIO TO247-4
Teilestatus
Active
IGBT-Typ
-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
650V
Stromabnehmer (Ic) (max.)
90A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
300A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 75A
Leistung max
395W
Energie wechseln
680µJ (on), 430µJ (off)
Eingabetyp
Standard
Gate Charge
166nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C
26ns/347ns
Testbedingung
400V, 37.5A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
58ns
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
TO-247-4
Supplier Device Package
PG-TO247-4

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