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DMN63D1LW-13

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Artikelnummer
DMN63D1LW-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMN63D1LW-13.pdf
Gesamt:$0.04347
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Artikelnummer
DMN63D1LW-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
380mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.3nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
30pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
310mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-323
Paket / fall
SC-70, SOT-323

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