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MURT10060

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Artikelnummer
MURT10060
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
MURT10060.pdf
Gesamt:$87.53920
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$87.53920

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Artikelnummer
MURT10060
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER
Teilestatus
Active
Diodenkonfiguration
-
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)
100A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 100A
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
75ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
25µA @ 50V
Betriebstemperatur - Übergang
-40°C ~ 175°C
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket / fall
Three Tower
Supplier Device Package
Three Tower

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