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TSM1N45DCS RLG

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Artikelnummer
TSM1N45DCS RLG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TSM1N45DCS RLG.pdf
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Artikelnummer
TSM1N45DCS RLG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
450V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
500mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.25 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.9V @ 250mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±50V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
185pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
900mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SOP
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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