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SUD50N04-8M8P-4GE3

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Artikelnummer
SUD50N04-8M8P-4GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 14A TO-252
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SUD50N04-8M8P-4GE3.pdf
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Artikelnummer
SUD50N04-8M8P-4GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 14A TO-252
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
14A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2400pF @ 20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252, (D-Pak)
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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