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APTM100H35FT3G

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Artikelnummer
APTM100H35FT3G
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$100.07640
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(In US-Dollar)
1Stck
$100.07640

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Artikelnummer
APTM100H35FT3G
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3
Teilestatus
Active
FET-Typ
4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000V (1kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
420 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
186nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
5200pF @ 25V
Leistung max
390W
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket / fall
SP3
Supplier Device Package
SP3

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