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STI18N65M2

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Artikelnummer
STI18N65M2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STI18N65M2.pdf
Gesamt:$2.37000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$2.37000

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Artikelnummer
STI18N65M2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
330 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
770pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Paket / fall
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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