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IPD60R380E6BTMA1

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Artikelnummer
IPD60R380E6BTMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPD60R380E6BTMA1.pdf
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Artikelnummer
IPD60R380E6BTMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
Teilestatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
10.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 300µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 100V
FET-Funktion
Super Junction
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 155°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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