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ZXMN3A06DN8TA

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Artikelnummer
ZXMN3A06DN8TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
ZXMN3A06DN8TA.pdf
Gesamt:$0.75570
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$0.75570

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Artikelnummer
ZXMN3A06DN8TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
17.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
796pF @ 25V
Leistung max
1.8W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOP

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