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CYD18S18V18-200BBAXI

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Artikelnummer
CYD18S18V18-200BBAXI
Hersteller
Cypress Semiconductor
Beschreibung
IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Artikelnummer
CYD18S18V18-200BBAXI
Hersteller
Cypress Semiconductor
Beschreibung
IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA
Teilestatus
Obsolete
Speichertyp
Volatile
Speicherformat
SRAM
Technologie
SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße
18Mb (1M x 18)
Taktfrequenz
200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
-
Zugriffszeit
3.3ns
Speicherschnittstelle
Parallel
Spannungsversorgung
1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur
-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
256-LBGA
Supplier Device Package
256-FBGA (17x17)

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