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TPUH6J S1G

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Artikelnummer
TPUH6J S1G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TPUH6J S1G.pdf
Gesamt:$0.24140
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$0.24140

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Artikelnummer
TPUH6J S1G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
6A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
3V @ 6A
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
45ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F
50pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
TO-277, 3-PowerDFN
Supplier Device Package
TO-277A (SMPC)
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 175°C

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