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FDS8960C

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Artikelnummer
FDS8960C
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FDS8960C.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
FDS8960C
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
35V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
7A, 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.7nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
570pF @ 15V
Leistung max
900mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOIC

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