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NTMSD6N303R2SG

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Artikelnummer
NTMSD6N303R2SG
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
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Artikelnummer
NTMSD6N303R2SG
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
950pF @ 24V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
2W (Ta)
Betriebstemperatur
-
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SOIC
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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