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1N5407G R0G

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Artikelnummer
1N5407G R0G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
1N5407G R0G.pdf
Gesamt:$0.10537
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Artikelnummer
1N5407G R0G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
800V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1V @ 3A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
5µA @ 800V
Kapazität @ Vr, F
25pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
DO-201AD, Axial
Supplier Device Package
DO-201AD
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 150°C

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