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IRLHM620TR2PBF

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Artikelnummer
IRLHM620TR2PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRLHM620TR2PBF.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
IRLHM620TR2PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
26A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.1V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
3620pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PQFN (3x3)
Paket / fall
8-VQFN Exposed Pad

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